大江之阴,枕山负水,襟带三吴。7月28~29日,第十届高工锂电产业高峰论坛在“中国资本第一县”江阴举行。此次论坛主题为“电动车速抢跑道
锂电池渐分高低”,来自锂电/电动车产业链上下游的超500位CEO/CTO/CMO齐聚,共同探讨2017下半年的行业走向和趋势。
在29日的上午论坛上,光宇睿芯总经理刘建朝做题为“BMS中不可或缺的MOSFET”的演讲,他介绍,MOSFET正在向5个方向发展:
一是小信号MOSFET(小于1.5A);SINO-IC在2014年将推出一系列小封装低功耗MOSFET,以适应智能手机和穿戴设备的需求。
二是单体多芯封装形式;单封装体内复合P型和N型MOSFET,以及MOSFET和肖特基二极管,优化了电路,并节省了线路板面积。
三是MOSFET芯片的单位面积通态电阻越来越小,单位面积功耗显着下降。另一方面也得益于封装技术的提高。
四是MOSFET芯片的栅极电荷越来越小,开关速度变快,开关损耗显着下降。
五是封装功率越来越大,MOSFET芯片的功率越来越大,POWERDFN和TO247封装逐步变成主流封装了。
刘建朝介绍,上海光宇睿芯微电子有限公司是专业从事半导体过电压保护器件、集成电路的设计与销售的高新技术企业,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路设计核心技术的供应商之一。
公司主要产品有通讯系统的接口保护、便携产品接口保护、锂电池的过充过放保护、电源系统的过压保护和LED过压保护器件;以及稳压管、功率MOSFET器件、肖特基器件等。
据悉,光宇睿芯已经成为国内半导体过电压保护器件和功率MOSFET的主要设计单位,其产品质量、产品规格和性价比均处于业界领先,并成功开发出多款国外同类产品替代品,并能够满足汽车级的品质要求。