科技部原副部长、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导委员会主任、国际半导体照明联盟主席曹健林，中国运载火箭技术研究院航天材料及工艺研究所副所长、中国工程院院士李仲平，科技部原国际合作司司长、科技部高新技术中心材料处处长史冬梅，北京市科委新能源与新材料处处长许心超，北京华商三优新能源科技有限公司总经理刘晓民，泰科天润半导体科技（北京）有限公司总经理陈彤等领导和企业代表共约100多人出席了本次会议。
第三代半导体是满足"创新驱动发展"国家战略需求、实现绿色、低碳、智能和可持续发展、抢占未来产业发展制高点、支撑国民经济可持续发展不可或缺的先进电子材料，也是全球战略竞争新的制高点。
未来3-5年是第三代半导体技术发展及应用推进的关键时期，为了抢占技术和产业制高点，科技部在“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项中系统地布局了相关项目，2016年7月在国家科技部高技术研究发展中心的指导及联盟的支持下，由北京华商三优新能源技术有限公司牵头的国家重点计划项目“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”正式启动，这对提升我国核心竞争力与支撑节能减排战略具有重要意义。
曹健林在致辞中表示，中国的科技和中国的经济一样都在迅速的走向世界的前列。在这个过程中，我们要努力解决两个问题。第一，要走到世界前列不是一个点的突破，要从材料-器件-系统-应用全产业链或者全创新链去积极部署突破。对第三代半导体我们从“十二五”，“十三五”一直在努力创造这样一个环境，今天也是对我们过去努力的一个检验。第二是要真正形成一种适合新兴产业发展的体制机制。怎样真正把事情落在实处，克服诸多问题，有赖于大家共同努力。
史冬梅表示，今天是国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”项目进展情况汇报会，该项目是2016年战略性先进电子材料重点专项启动首批27个项目之一。项目针对我国电动汽车充电设备对高效率、高稳定性SiC电力电子器件的重大需求，从材料、器件和应用三个层次开展系统性研究，攻克基础科学问题，突破关键技术瓶颈，建成SiC材料、器件和应用协同合作的全产业链研发平台和产业化基地，实现全SiC充电设备的批量示范应用，以满足我国日益增长的电动汽车市场对智能、高效充电装备的需求，为实现《中国制造2025》的国家战略贡献力量。项目的顺利实施将使我国率先实现碳化硅材料在电力系统中的应用，占领国际制高点，对于推进智能电网建设，保障我国能源安全和推进全球能源互联网具有重大意义。今天新型碳化硅充电桩示范工程正式启动，是项目实施过程中的重要里程碑，也标志着项目实施进入了关键阶段。
许心超也表示，北京市科委早在2012年就开始通过科技项目的方式对第三代半导体材料进行了布局，通过创新引领实现了核心技术突破，初步形成了从碳化硅材料、器件、封装到应用的全产业链条，4英寸碳化硅衬底材料批量生产，成为国内两大生产基地之一，并在国内率先实现了碳化硅功率器件的产业化和示范应用。在科委的支持下，泰科天润半导体科技（北京）有限公司联合中国科学院半导体研究所成功研制出了1200VSiCMOSFET功率器件并实现小批量化生产，掌握了SiCMOSFET器件的设计、关键工艺和制造等全套技术，成为国际上少数几个能提供SiCMOSFET器件的公司之一，为推动第三代半导体材料、器件产业发展，打破国外技术垄断奠定了良好基础。同时在体制机制创新方面，为更好的支撑全国科技创新中心建设，对接国家重大项目，北京市科委联合顺义区政府及联盟，共同建设第三代半导体材料及应用联合创新基地，快速推进产业链构建和产业创新生态环境培育。下一步北京市科委将进一步配合国家战略，以每年不低于5000万的支持落地配套，为第三代半导体做好保驾护航的作用，以尊重市场规则的方式落地产业推进市场。
紧接着，在启动仪式上曹健林副部长、李仲平院士、史冬梅处长、许心超处长及示范项目参与企业代表北京华商三优新能源科技有限公司刘晓民总经理、泰科天润半导体科技（北京）有限公司陈彤总经理、许继电源有限公司、青岛特锐德电气股份有限公司、中兴通讯股份有限公司几位代表上台共同按亮启动球，同与会代表们一起见证了我国首个碳化硅新型充电桩示范工程在北京的启动。
一个新技术的发展与用户的需求及合作密不可分，为了更好的推进第三代半导体在充电桩及新能源领域的应用及跨领域的协同创新，第三代半导体产业技术创新战略联盟与电动物流车产业技术创新战略联盟、中国可再生能源学会等联盟组织进行了深入的探讨并在推进第三代半导体的技术研发、标准制定、应用推广等方面达成了战略合作目标。会上第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲与中国可再生能源学会秘书长李宝山、中关村普天新能源物流汽车产业技术联盟常务副理事长王文涛、中国电工技术学会副秘书长王志华共同签属了联盟融合创新战略合作协议。
随后，浙江大学教授盛况就国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项中“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”项目的进展进行了汇报。之后参会人员一起考察了由北京华商三优新能源科技有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司等单位共同在通州马驹桥充电场站开展的大功率碳化硅器件新型充电桩示范工程。目前，充电桩运行效果良好，电能转化效率高达96%，大大提高了充电效率与充电时间。
在下午的技术研讨会上，参会人员主要围绕碳化硅在充电桩中的技术与应用进行了深入研讨，北京华商三优新能源科技有限公司副总经理陈强、泰科天润半导体科技（北京）有限公司技术总监李志君、青岛特锐德电气股份有限公司预研部高级总监李建华、山东大学教授陈秀芳、中国电子科技集团公司第五十五研究所黄润华博士分别就国家重点计划项目的整体进展，电动汽车充电设施的问题、发展趋势和行业突破，第三代半导体在未来电动汽车充电模块的应用，材料与器件的研究进展、绿色出行能源供应解决方案等进行了报告研讨。
与会人员一致认为，第三代半导体是满足"创新驱动发展"国家战略需求、实现绿色、低碳、智能和可持续发展、抢占未来产业发展制高点、支撑国民经济可持续发展不可或缺的先进电子材料，也是全球战略竞争新的制高点。此次示范工程的启动将有效带动通过应用牵引实现国产核心材料和器件的突破，对满足我国日益增长的电动汽车市场对智能、高效充电装备的需求，实现《中国制造2025》国家战略，提升国家综合实力贡献力量具有重要意义。
