会上，正式启动了我国首个碳化硅（SiC）新型充电桩示范工程，标志着我国碳化硅新型充电桩迈出了实际应用的第一步。来自政府及企业代表共约100多人出席了本次会议。科技部原副部长曹健林，科技部高新技术中心材料处史冬梅处长出席会议并致词，浙江大学盛况教授就国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项中“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”项目的进展进行了汇报。
随后，出席会议的政府领导及产业链核心企业代表共同启动了以北京为起点面向全国推广的“四城一会”碳化硅充电桩示范工程，并考察了由华商三优公司、泰科天润公司在通州马驹桥充电场站开展的大功率碳化硅器件新型充电桩示范工程。目前，充电桩运行效果良好，电能转化效率高达96%，大大提高了充电效率与充电时间。
北京市科委从2012年开始通过科技项目的方式对第三代半导体材料进行系统布局，通过技术创新引领实现了核心技术突破，初步形成了从碳化硅材料、器件、封装到应用的全产业链条。其中，天科合达公司4英寸碳化硅衬底材料实现批量生产，泰科天润公司成功研制出了1200VSiCMOSFET功率器件并实现小批量化生产，成为国际上少数几个能提供SiCMOSFET器件的公司之一，为推动第三代半导体材料、器件产业发展，打破国外技术垄断奠定了良好基础。同时市科委开展体制机制创新，积极对接国家重大项目，联合顺义区政府及联盟，共建第三代半导体材料及应用联合创新基地，快速推进产业链构建和产业创新生态环境培育，有力地支撑了全国科技创新中心建设。
